目前来看，我国自研的光刻机还依然处于制程工艺为90纳米的水准。

这个水准的光刻机，隶属于第四代步进扫描式光刻机，采用的是波长为193纳米的，深紫外光ArF光源，其制程工艺在135纳米-65纳米之间。

与浸没式光刻机相比差半代，与EUV光刻机相比差一代。

国内这型制程工艺在90纳米的光刻机，也就是由上海微电子生产的SSX-600/20型光刻机。

该光刻机采用了四倍缩小物镜，自适应调焦调平技术，六自由度工件台掩膜台技术，可以适应8寸或者12寸的晶圆。

也就是说，目前国内最先进的光刻机，也只能达到90纳米的制程工艺，不过经过多次曝光之后，估计制程工艺还会进一步缩小。

而国际上最先进的，制程工艺最低的，就是ASML集成的EUV光刻机。该光刻机的制程工艺已经达到了7纳米，采用了波长为13.5纳米的EUV光源；镀了近百层钼和硅制成薄膜的反射镜，而薄膜的粗糙度控制在零点几纳米级别；还有运动精度误差控制在1.8纳米的双工件台。以上只是EUV光刻机，最为重要的三大部件。而一整台EUV光刻机是由10万多个零部件，且还要经过工程师上百万次的调试，才可以交付使用。

想象一下10万多个零部件是什么概念。

一般的家用小轿车只有2万多个零部件。

一架波音737NG约有50多万个部件。

可想而知，组装一台光刻机的难度有多大。当然了，不仅仅是组装完成之后就完事了，还对装配的精度要求相当的高。

而要制造出EUV光刻机，就要在光源，反射镜，双工件台这三大技术上取得突破。而这三大件也是，在光刻机中制造难度最大的。只要解决了这三大部件，EUV光刻机剩下的部分就没那么难了。

目前来说，光源，双工件台，反射镜都有企业在研发。只不过，想要达到适合EUV光刻机使用的标准，还有一段要走，对于科学研究来说，万万是急不得的。毕竟ASML生产的EUV光刻机，是集合了美，日，德，英，欧的最尖端科技。仅凭一国，想要将以上的尖端科技全部握在手中的话，那难度有多大是可以想象的。

国内研发双工件台的主要就是华卓精科。

研发光源有科益虹源，福晶科技。

研发反射镜的有奥普光电，国望光学。

研究浸没系统的有启尔机电。

研究光刻胶的有容大感光，南大光电。

以上就是国内正在研究光刻机各种部件的企业，而集成的话有上海微电子。

隔着一代的差距，是需要时间和持续的投入做基础的。也只有等到国内与光刻机制造相关的技术突破后，各种部件的制造才有了突破的希望。

现阶段就是深耕细作的时期，事已至此，抱怨无用，想法赶上，赢得未来。

目前来看，90纳米制程工艺的光刻机，基本上可以满足工业芯片的生产需求，暂时不需要担心。而高端芯片也只是在手机，电脑上使用的比较广泛，对工业，军工的影响不大。完全可以等到国产EUV光刻机完成之后，再发力。

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